Jūsų asmens duomenų valdymas.

Siekdami užtikrinti geriausią Jūsų naršymo patirtį, šioje svetainėje naudojame slapukus (angl. cookies). Naršydami toliau patvirtinsite savo sutikimą naudoti slapukus. Savo sutikimą bet kada galėsite atšaukti pakeisdami interneto naršyklės nustatymus ir ištrindami įrašytus slapukus.

Susipažinkite su slapukų politika.

Privatumo politika
Spausdinti

Finansavimas

Technologinių defektų ir krūvio pernašos parametrų spektroskopija aukštų sužadinimų srityje netvarkiuose GaN ir organinių medžiagų dariniuose

Nr. 09.3.3-LMT-K-712-02-0014

Paraiškos būsena:
Nesudaryta sutartis
Vykdytojas Vilniaus universitetas
Regionas Vilniaus miesto
Priemonė MOKSLININKŲ, KITŲ TYRĖJŲ, STUDENTŲ MOKSLINĖS KOMPETENCIJOS UGDYMAS PER PRAKTINĘ MOKSLINĘ VEIKLĄ
Prioritetas 9 PRIORITETAS. Visuomenės švietimas ir žmogiškųjų išteklių potencialo didinimas
Kvietimo kodas 09.3.3-LMT-K-712-02

ĮĮgyvendinant projektą bus siekiama praplėsti, pagilinti stažuotojo žinias plačiatarpių puslaidininkių ir organinių darinių tyrimų baruose. Taip pat bus įsisavintos nesąlytinių tyrimų metodikos, tokios kaip PPIS defektų spektroskopija bei dinaminių gardelių metodas. Sandūrinių struktūrų tyrimuose būtų kombinuojamos TCT ir BELIV profiliavimo metodikos. Projekte būtų atskleista technologinių defektų silicio padėkle ir AlN bei Al(x)Ga(1-x)N sąsajų sluoksniuose įtaka epi- GaN sluoksnio defektų susidarymui ir krūvininkų rekombinacijos bei transporto parametrų kaitai aukštų sužadinimų srityje GaN/Si struktūrose, o taip pat įvertinta sandūrinių darinių parametrų kaita. Taip pat planuojama patikslinti krūvininku dreifo organiniuose dariniuose, matuojamų skirtingomis metodikomis, parametrus keičiantis bandinių storiui, sužadinimo spektrui bei tankiui. Būtų atskleisti bendrieji krūvininkų transporto ir rekombinacijos dėsningumai neorganiniuose ir organiniuose nano-elektronikos dariniuose su išplitusiais defektais (DN, CT) aukštųjų sužadinimų srityje ir, tuo būdu, ženkliai padidintos stažuotojo kompetencijos modernių elektroninių darinių tyrimuose bei įsisavintos naujos tyrimo metodikos. GaN/Si bei BF įvairių struktūrų tyrimai, leidžiantys susieti technologinius gamybos režimus su rekombinacijos ir transporto charakteristikomis bei defektų inžinerijos būdais, leistų sukurti naujas struktūras Medžiagų inžinerijos kryptyje. Medžiagų charakterizavimui būtų aprobuoti kombinuoti tyrimų metodai, taip prisidedant prie Matavimų inžinerijos krypties raidos.


Paraiškų informacija

Paraiškos gavimo data: 2017-06-16
Nr. Vertinimo kriterijus Finansavimo statusas Vertinimo balas
1. Tinkamumo vertinimas Taip (2017-08-18)
2. Naudos ir kokybės vertinimas Taip (2017-11-08) 76.30
Paraiškoje nurodyta projekto vertė: 42 502,40 Eur
Prašoma finansavimo suma: 42 502,40 Eur

Sutarties informacija

Projekto išlaidų suma, Eur Finansavimas, Eur Apmokėta išlaidų suma, Eur Išmokėtas finansavimas, Eur
0,00 0,00 0,00 0,00

Susiję įrašai