Jūsų asmens duomenų valdymas.

Siekdami užtikrinti geriausią Jūsų naršymo patirtį, šioje svetainėje naudojame slapukus (angl. cookies). Naršydami toliau patvirtinsite savo sutikimą naudoti slapukus. Savo sutikimą bet kada galėsite atšaukti pakeisdami interneto naršyklės nustatymus ir ištrindami įrašytus slapukus.

Susipažinkite su slapukų politika.

Privatumo politika
Spausdinti

Finansavimas

Aukštųjų energijų spinduliuotėmis apšvitintų AlGaN-GaN darinių elektrinių ir scintiliacinių charakteristikų tyrimas

Nr. 09.3.3-LMT-K-712-02-0012

Paraiškos būsena:
Įgyvendinimas
Vykdytojas Vilniaus universitetas
Regionas Vilniaus miesto
Priemonė MOKSLININKŲ, KITŲ TYRĖJŲ, STUDENTŲ MOKSLINĖS KOMPETENCIJOS UGDYMAS PER PRAKTINĘ MOKSLINĘ VEIKLĄ
Prioritetas 9 PRIORITETAS. Visuomenės švietimas ir žmogiškųjų išteklių potencialo didinimas
Kvietimo kodas 09.3.3-LMT-K-712-02

Podoktorantūros studijų projekto idėja yra grindžiama AlGaN-GaN scintiliatorių liuminescencijos spektrų modifikacija, nulemta susidarančių radiacinių defektų, tuo būdu praplečiant radiacijos sensorių radiacinio atsparumą ateities CERN eksperimentams. Projekto tikslas būtų stažuotojo kvalifikacijos kėlimas siekiant atskleisti radiacinių defektų AlGaN-GaN dariniuose susidarymo ir modifikacijų įtaką, kintant įtėkiui, AlGaN-GaN scintiliatorių liuminescencijos spektrų ir elektrinių charakteristikų transformacijoms, kurios pasitelkiamos aukštųjų energijų spinduliuočių detektavimui. Šio projekto tyrimų naujumas sietinas su defektų spektroskopijos metodologijos tiek kontaktiniais, tiek nesąlytiniais būdais sukūrimu ar tobulinimu, siekiant detaliai atskleisti poliarizacinių efektų įtaką tokių struktūrų funkcinėms savybėms, įvairių AlGaN-GaN sluoksnių įtaką scintiliatorių atsako signalų formavimesi. Projekto uždavinys išnagrinėti liuminescencijos spektrų persiskirtymus keičiant hadronų įtėkį įvairaus storio HVPE, MOCVD bei ammono technologijos AlGaN-GaN dariniuose. Numatomos tokios dvi veiklos: 1) ištirti GaN/Si ir GaN/safyro struktūrų buferinių AlGaN, AlN sluoksnių elektrinių ir liuminescencinių charakteristikų kaitą, varijuojant aukštųjų energijų protonų įtėkį ir siekiant atskleisti specifines tokių darinių charakteristikas sparčiosios nano-elektronikos prietaisų ir spinduliuočių sensorių formavimui; 2) ištirti scintiliatorių signalų kaitą varijuojant AlGaN-GaN.struktūrų storį ir protonų bei neutronų įtėkį. Praktinis šio projekto naujumas būtų sietinas su daugiasluoksnių darinių, kuriuose yra didelis savitųjų defektų tankis, charakterizavimo metodologijos tobulinimu, kombinuojant įvairias spektrines ir relaksacijos parametrų įvertinimo metodikas. Identifikuoti defektai, jų parametrų vertės, galėtų būti pasitelkti analizuojant naujai sintezuojamas medžiagas, o liuminescencinės charakteristikos būtų vertingos struktūrų kokybės kontrolei.


Paraiškų informacija

Paraiškos gavimo data: 2017-06-13
Nr. Vertinimo kriterijus Finansavimo statusas Vertinimo balas
1. Tinkamumo vertinimas Taip (2017-08-18)
2. Naudos ir kokybės vertinimas Taip (2017-11-08) 89.00
Paraiškoje nurodyta projekto vertė: 42 502,40 Eur
Prašoma finansavimo suma: 42 502,40 Eur

Sutarties informacija

Sutarties pasirašymo diena: 2017-12-04
Projekto išlaidų suma, Eur Finansavimas, Eur Apmokėta išlaidų suma, Eur Išmokėtas finansavimas, Eur
42 502,40 42 502,40 31 604,98 31 604,98

Stebėsenos rodiklių pasiekimai

Eilės numeris Stebėsenos rodiklio pavadinimas Matavimo vienetas Siektina reikšmė pasirašytose projektų sutartyse Pasiekta reikšmė
1 Įgyvendinti MTEP projektai Skaičius 1.00 0.00
2 Tyrėjai, kurie dalyvavo ESF veiklose, skirtose mokytis pagal neformaliojo švietimo programas 1.00 1.00 1.00
3 Į mokslo ir studijų institucijas panaudojant ESF investicijas pritraukti tyrėjai iš užsienio 1.00 1.00 0.00

Paskutinė atnaujinimo data: 2019-08-24 07:38

Susiję įrašai